特許

J-GLOBAL ID：200903028668898995

固体撮像装置の製造方法

発明者： 岡田 裕幸 ,  上坂 渡 ,  浅海 政司 ,  松田 祐二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203341
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 分離絶縁膜を形成したときの応力の影響の及ばない固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を有する積層絶縁膜上に転送電極が形成された電荷転送部と、シリコン酸化膜上にゲート電極が形成された周辺回路部とを備えた固体撮像装置の製造方法であり、半導体基板51の主面の所定領域に分離絶縁膜54を形成し、つぎに半導体基板51上に第1のシリコン酸化膜56を形成し、つぎに第1のシリコン酸化膜56上にシリコン窒化膜57を形成し、つぎに周辺回路部の周辺部であって分離絶縁膜54との境界より内側にシリコン窒化膜57が残るように、周辺回路部のシリコン窒化膜57を除去し、つぎに周辺回路部の第1のシリコン酸化膜56を除去し、つぎに半導体基板51上に第2のシリコン酸化膜68を形成し、つぎに周辺回路部にゲート電極69を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を有する積層絶縁膜上に転送電極が形成された電荷転送部と、シリコン酸化膜上にゲート電極が形成された周辺回路部とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板主面の所定領域に分離絶縁膜を形成する第1工程と、前記半導体基板上に第1のシリコン酸化膜を形成する第2工程と、前記第1のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する第3工程と、前記周辺回路部の周辺部であって前記分離絶縁膜との境界より内側に前記シリコン窒化膜が残るように、前記周辺回路部の前記シリコン窒化膜を除去する第4工程と、前記周辺回路部の前記第1のシリコン酸化膜を除去する第5工程と、前記半導体基板上に第2のシリコン酸化膜を形成する第6工程と、前記周辺回路部にゲート電極を形成する第7工程を含む固体撮像装置の製造方法。