特許

J-GLOBAL ID：200903028672984006

化合物半導体エピタキシャルウエハ

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-176725
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022224
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 高温で消失しない低温緩衝層を形成することにより、結晶性に優れかつ連続したIII 族窒化物半導体のエピタキシャル薄膜を成長し、それによって特性に優れる化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 結晶基板と、該結晶基板上に低温で成長されるIII 族窒化物半導体からなる低温緩衝層と、該低温緩衝層上に高温で成長されるIII 族窒化物半導体からなるエピタキシャル層とを備えた化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、該低温緩衝層の結晶基板との界面近傍の領域を単結晶とする。

請求項（抜粋）：

結晶基板と、該結晶基板上に低温で成長されるIII 族窒化物半導体からなる低温緩衝層と、該低温緩衝層上に高温で成長されるIII 族窒化物半導体からなるエピタキシャル層とを備えた化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、該低温緩衝層の結晶基板との界面近傍の領域が単結晶であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウエハ。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 C