特許

J-GLOBAL ID：200903028677602152

半導体装置の製造方法

発明者： 鬼頭 英至
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-368978
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195855
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 気泡性の低密度無機多孔質膜の製造方法で、空間形成材を使用しない方法では、成膜後の基板上の膜質と膜厚分布が悪化し易く、空間形成材を使用する方法では、気泡形成後に空間形成材の有機化合物ポリマーを除去する方法が確立されていない。【解決手段】 シリコン系無機材料に空間形成材の有機化合物ポリマーを添加したもので重合反応が終了しているものを用い、そのシリコン系無機材料を塗布してシリコン系無機材料膜を形成する「塗布工程」S1と、シリコン系無機材料膜の架橋反応を進める「第1のベーキング工程」S2と、シリコン系無機材料膜中から有機化合物ポリマーのみを熱分解して除去する「第2のベーキング工程」S3と、シリコン系無機材料膜を焼成して無機多孔質絶縁膜を形成する「第3のベーキング工程」S4とを備えた半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

膜中に空間を形成するための空間形成材を添加したシリコン系無機材料を用いて無機多孔質絶縁膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記空間形成材は有機化合物ポリマーからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 U ,  H01L 21/90 Q

Fターム (12件)：

5F033QQ74 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BG03 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02