特許
J-GLOBAL ID：200903028681798274
半導体装置における絶縁層及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284482
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099191
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】下地の表面特性に対する依存性が少なく、しかも配線パターンに対する依存性も少ない絶縁層及びその形成方法を提供する。【構成】絶縁層は、カルボキシル基、アミノ基、スルホン酸基又はニトロ基を少なくとも1つ有する化合物、これらの塩を含有する化合物及び界面活性剤の群から選択された表面処理剤から成り、基体に相当する層間膜16上に形成された表面処理層18、及び有機シリコン系化合物と酸化剤との反応により表面処理層18上に形成された絶縁膜20から成る。あるいは又、基体上に形成された単分子膜、及び単分子膜上に形成された絶縁膜から成る。絶縁層形成方法は、(イ)表面処理層若しくは単分子膜を基体表面に形成した後、(ロ)有機シリコン系化合物と酸化剤とを反応させて表面処理層若しくは単分子膜上に絶縁膜を形成する工程から成る。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された表面処理層、及び有機シリコン系化合物と酸化剤との反応により該表面処理層上に形成された絶縁膜から成り、該表面処理層は、カルボキシル基、アミノ基、スルホン酸基又はニトロ基を少なくとも1つ有する化合物、これらの塩を含有する化合物及び界面活性剤の群から選択された表面処理剤から成ることを特徴とする半導体装置における絶縁層。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
