特許
J-GLOBAL ID：200903028683967510
アクティブマトリクス型液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305346
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160896
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】アクティブマトリクス型液晶表示装置(LCD)の信頼性を高める。【構成】このLCDは、少なくとも一主面上に、蓄積容量線1とマトリクス状に走査線5および信号線6とを複数形成すると共にこれら走査線5および信号線6の交差部にTFT7を形成する一方、蓄積容量線1上に絶縁層および半導体層を介してTFT7に接続された表示画素2を形成して補助容量部を設けたアレイ基板に、共通電極基板を液晶を挟持するように対向配置してなるLCDであって、アレイ基板の補助容量部として、n型半導体層22が形成された第1の補助容量部3と、この第1の補助容量部3と電気的に並列に設けられ、p型半導体層23が形成された第2の補助容量部4とを具備している。
請求項（抜粋）：
少なくとも一主面上に、蓄積容量線とマトリクス状に複数の走査線および信号線とを形成すると共にこれら走査線および信号線の交差部に半導体スイッチ素子を形成する一方、前記蓄積容量線上に絶縁層および半導体層を介して前記半導体スイッチ素子に接続された表示画素を形成して補助容量部を設けた第1の透明基板に、共通電極を設けた第2の透明基板を液晶層を挟持するように対向配置してなるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記第1の透明基板の補助容量部として、n型半導体を用いて前記半導体層が形成された第1の補助容量部と、この第1の補助容量部と電気的に並列に設けられ、p型半導体を用いて前記半導体層が形成された第2の補助容量部とを具備したことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
