ランディングパッドを有する半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027104
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330542
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】多段階の蝕刻を利用して高い横縦比を有するコンタクトホールにトロフィー形のランディングパッドを形成する方法を提供する。【解決手段】ストレージノード用のランディングパッドを相異なる蝕刻方法を利用した多段階の蝕刻工程によって形成し、ビットライン用のランディングパッドとは異なる段差で別の写真蝕刻工程を通して形成することにより、ランディングパッドの間のストリンガやブリッジ現象を防止しうる。さらに、多段階の蝕刻に因したトロフィー形のランディングパッドを具備することにより充分のアラインメントマージンの確保は勿論、横縦比を低くしてGbit級DRAMの製作に非常に有用に適用しうる。

請求項（抜粋）：

高集積半導体装置の製造方法において、トランジスター及びビットラインとの接触のためのビットライン用のランディングパッドが形成されている半導体基板の全面に前記トランジスターのゲートと前記ランディングパッドが充分に被覆されうるほどの厚さを有する第1層間絶縁膜を形成する段階と、ストレージ電極を前記トランジスターのソース/ドレイン領域に接触させるためのストレージ電極用のランディングパッドを形成するために前記第1層間絶縁膜を多段階の蝕刻工程を通してトロフィー形を有するコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールに第1導電物質を埋込んでトロフィー形のストレージ電極用のランディングパッドを形成する段階と、前記ビットライン用のランディングパッドとの接触のためのビットラインを形成する段階と、前記ストレージ電極用のランディングパッドとの接触のためのストレージ電極を形成する段階を含むことを特徴とするトロフィー形のランディングパッドを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 621 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-174766
特開平4-307968
特開平4-212448

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