特許
J-GLOBAL ID：200903028686838827
スタティック型半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142547
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304274
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【構成】MOS SRAMのビット線とメモリセルのフリップ・フロップとの間に挿入される転送MOSFETT1,T2のソース・ドレイン領域の少なくとも一方好ましくはフリップ・フロップ例のものが高抵抗になっている。【効果】これによりワード線Wを細くしても、読み出し時のデータの破壊を防止できるので、SRAMセルの占有面積を比較的に小さくできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面部に選択的に形成されたドレイン領域を有する駆動MOSFETおよび前記ドレイン領域に一端を接続された負荷素子をそれぞれ有する一対のインバータを含むフリップフロップと、一の前記インバータの前記ドレイン領域に接続される一のソース・ドレイン領域、およびビット線に接続される他のソース・ドレイン領域を有し、前記一のソース・ドレイン領域または他のソース・ドレイン領域の少なくともいずれか一方の電気抵抗を前記駆動MOSFETのドレイン領域の電気抵抗より高くする手段を備えた転送MOSFETとを含むSRAMセルを有することを特徴とするスタティック型半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/11
, H01L 29/784
, G11C 11/412
H01L 27/10 381
, H01L 29/78 311 C
, G11C 11/40 301
