特許

J-GLOBAL ID：200903028689767041

有機半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉岡 宏和
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209065
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072053
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】ソース-ゲート電極間およびドレイン-ゲート電極間の耐電圧を維持しつつ、閾値電圧および動作電圧を低減した有機半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】ゲート電極が配置された基板と、ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート絶縁体層、ソース電極およびドレイン電極の上に配置された有機半導体層とを備え、ゲート絶縁体層が単層で構成され、ソース電極とドレイン電極に挟まれた領域のゲート絶縁体層が、ソース電極およびドレイン電極と接する領域のゲート絶縁体層に比較して薄い構造を有することを特徴とする有機半導体装置により、上記の課題を解決する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極が配置された基板と、ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート絶縁体層、ソース電極およびドレイン電極の上に配置された有機半導体層とを備え、ゲート絶縁体層が単層で構成され、ソース電極とドレイン電極に挟まれた領域のゲート絶縁体層が、ソース電極およびドレイン電極と接する領域のゲート絶縁体層に比較して薄い構造を有することを特徴とする有機半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 617S

Fターム (60件)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA31 ,  2H092JA36 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092MA18 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110AA13 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14