特許

J-GLOBAL ID：200903028692921299

半導体装置の製造方法

発明者： 佐伯 貴範
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174361
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021382
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 種々の欠点のあるシリコン窒化膜を用いないでスパッタキャパシタDRAMのノード電極を形成すること。【構成】 シリコン酸化膜又はボロンリン珪酸ガラス膜から成る層間膜7に容量コンタクト8を開孔した後、ノード電極としての多結晶シリコン膜9を成膜し、リン珪酸ガラス膜10を成膜し、不要部分を除去し、ノード電極形状に加工する。この上に多結晶シリコン膜11を成膜し、さらにこの上にリン珪酸ガラス膜12を成膜し、異方性エッチングにより不要部分を除去し、側壁部のみに残す。この上に多結晶シリコン膜13を成膜し、異方性エッチングにより多結晶シリコン膜9,11,13の不要部分を除去し、次に弗酸を含む溶液でリン珪酸ガラス膜10,12を除去する。これにより多重の円筒形電極が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に素子分離酸化膜、ゲート電極、ビット線、及び層間絶縁膜を形成した中間製品に容量コンタクトを開孔する工程と、第1の多結晶シリコン膜を形成する工程と、第1のリン珪酸ガラス膜を形成する工程と、該第1のリン珪酸ガラス膜をノード電極形状になるように不要部分を除去する工程と、第2の多結晶シリコン膜を形成する工程と、第2のリン珪酸ガラス膜を形成する工程と、該第2のリン珪酸ガラス膜を異方性エッチングにより不要部分を除去する工程と、第3の多結晶シリコン膜を形成する工程と、異方性エッチングにより前記第1の多結晶シリコン膜、第2の多結晶シリコン膜及び第3の多結晶シリコン膜の不要部分を除去し前記不、要部分の除去された第1、第2のリン珪酸ガラス膜及び前記層間絶縁膜を露出する工程と、弗酸を含む溶液により前記露出された第1のリン珪酸ガラス膜及び第2のリン珪酸ガラス膜を除去する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-099373
  
• 特開平4-037062
  
• 特開平4-218954