ドライエッチングのモニター

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西山恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379983
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177218
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】基材上に設けた3次元形状遮蔽構造物をドライエッチングにて基材に転写する光学素子形成において、エッチング速度制御と終点検出を行う。【解決手段】エッチングとともに基材の露出面積が増えるように厚みが異なるエッチング遮蔽構造物を基材端部に設け、測定反射光にて基材からの反射面積の増加を検出する。面積増加の割合を光学素子領域の面積増加割合と近似させておく。所定の反射光面積の増加になるようにエッチング条件を制御し所定の反射光面積に達したらエッチングを終了する。

請求項（抜粋）：

基材上に設けたエッチング遮蔽構造物の形状をドライエッチングにて相似的に基板に転写する3次元形状を有する素子形成において、基材面の少なくとも一部にドライエッチングの経過とともに基材の露出面積が増加する厚みが異なるエッチング遮蔽構造物を設けたことを特徴とするドライエッチングのモニター。

IPC (3件)：

G02B 3/08 , B81B 1/00 , B81C 1/00

FI (3件)：

G02B 3/08 , B81B 1/00 , B81C 1/00

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