特許

J-GLOBAL ID：200903028695660410

配向粒成長によるイットリウム系超電導体の製造方法

発明者： 淡野 正信 ,  児玉 泰治
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院名古屋工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207714
公開番号（公開出願番号）：特開平9-030863
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】【課題】 サブミクロン結晶粒より構成される、理論密度に近い緻密焼結体に対して、高温で一軸応力を印加することにより、応力誘起粒成長を生じさせ、結晶粒の高配向した組織を得るための製造方法を提供する。【解決手段】 HIP(熱間等方加圧焼結)により、イットリウム系超電導体(化学式Ba2YCu3O7-y)を理論密度の95%以上に緻密焼結させる。この試料に対して、この870 〜930 °Cの温度範囲におけるアニールを行い、同時に2MPa以上の一軸応力(圧縮もしくは引張り)で加圧処理することにより、一軸応力軸に対して垂直方向への配向粒成長を生じさせる。【効果】 高い電流密度を有するとともに、3次元的な目的形状への加工性に優れた超電導体を簡便に製造することができる。

請求項（抜粋）：

理論密度の95%以上に緻密化させた、1 μm以下の結晶粒子より構成されるイットリウム系超電導体の多結晶体(化学式Ba2YCu3O7-y )を、870 〜930 °Cの温度範囲において、2MPa以上の一軸応力(圧縮もしくは引張り)により加圧処理することにより、配向粒成長を生じさせることを特徴とするイットリウム系超電導体の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/50 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA

FI (3件)：

C04B 35/50 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-061372
  
• 酸化物超電導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-055703   出願人：京セラ株式会社
• 特開平2-275746