特許
J-GLOBAL ID：200903028699916886
露光方法及び露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 均 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998005917
公開番号（公開出願番号）：WO1999-034417
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月08日
要約：
【要約】フォトレジストが塗布されたウエハ上に密集パターン(41c)及び孤立パターン(42c)を構成要素とするデバイスパターンを形成するための技術である。デバイスパターンの密集パターン(41c)に対応する形状の密集パターン(41a)と孤立パターン(42c)に対応する形状のパターン(42a)に複数の補助パターン(43a)を付加形成して密集パターンとしたレチクルパターンが形成された第1レチクルを用いてレジストの感光特性に応じた適正露光量の1/2で露光する。次いで、デバイスパターンの密集パターン(41c)に対応する形状の密集パターン(41b)と孤立パターン(42c)に対応する形状の孤立パターン(42b)からなるレチクルパターンが形成された第2レチクルを用いて該適正露光量の1/2で露光する。
請求項（抜粋）：
感光基板上にデバイスパターンを形成する露光方法であって、 前記感光基板の感度特性に応じた適正露光量よりも少ない露光量で複数のパターンをそれぞれ前記感光基板上に重ね合わせて転写するステップを含む露光方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 C
, G03F 7/22 Z
