特許

J-GLOBAL ID：200903028701738036

半導体ウェハ及び電界効果トランジスタ

発明者： 橋本 達志 ,  和島 峰生
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288416
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111037
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 キャリア供給層、グレーデッドバッファ層か、あるいはバッファ層への不純物の混入を減少させた半導体ウェハ及び電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 InAlAs/InGaAs系の半導体ウェハのバッファ層2、キャリア供給層5か、あるいはショットキーコンタクト層8のいずれかをInAlGaAsにすることにより、キャリア供給層5、バッファ層2か、あるいはショットキーコンタクト層8への不純物の混入を減少させることができる。このような半導体ウェハを用いることによりゲート電圧のリークが無く、ゲート耐圧が高い電界効果トランジスタが得られる。

請求項（抜粋）：

半絶縁GaAs基板か、あるいはInP基板の上に、バッファ層、InGaAsチャネル層、InAlAsスペーサ層及びキャリア供給層を順次成長させたInAlAs/InGaAs系の半導体ウェハにおいて、上記キャリア供給層をInAlGaAsで形成したことを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (15件)：

5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01