特許
J-GLOBAL ID:200903028704020330

磁気抵抗効果膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-221472
公開番号(公開出願番号):特開平9-069209
出願日: 1995年08月30日
公開日(公表日): 1997年03月11日
要約:
【要約】【目的】 従来より高感度な磁気抵抗効果膜を得る。【構成】 膜厚が薄くても大きな交換結合磁界を発生させるように、磁化を固定するための反強磁性層と磁化が固定された強磁性層の結晶粒径が15nm以下で、反強磁性層の膜厚が3〜10nmであるスピンバルブ磁気抵抗効果膜。
請求項(抜粋):
反強磁性層によって磁化方向が固定された強磁性層と、非磁性層によって分離された磁化方向の固定されない強磁性層の組合せから成る多層膜において、前記反強磁性層によって磁化方向が固定された前記強磁性層は15nm以下の結晶粒径から成ることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

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