パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001659
公開番号（公開出願番号）：特開平11-194506
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】均一かつ高精度の寸法分布を有するレジスト膜の形成を可能とする。【解決手段】マスクに形成されたレジスト膜にパターン露光を行い(3)、その後ベーク処理及び現像処理(7)を行なってレジストパターンを形成するパターン形成方法において、露光後ベーク処理は第一及び第二の工程からなり((4),(6))、この第一及び第二の工程の間にはレジスト膜の寸法分布を測定する工程を挟んでおり(5)、第一の工程はレジスト膜全体に対して均一に行い、第二の工程は測定された寸法分布に基づいて面内不均一性を補正して均一にするように部分的に行う。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に形成されたレジスト膜にパターン露光を行い、該パターン露光後にベーキング及び現像処理を行うことでレジストパターンを形成するパターン形成方法において、前記露光後ベーキングは第一及び第二の工程からなり、かつ第一の工程はレジスト膜全体に対して均一に行い、第二の工程は該第一の工程により得られた寸法分布の面内不均一性を補正して均一にするように部分的に行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 568

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