特許
J-GLOBAL ID：200903028707186175

多層パッドを具備した半導体素子及びその製造方法

発明者：
李 承 ▲録▼

李 承 ▲録▼ について

, 
金 明 聖

金 明 聖 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186320
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ボンディングパッドの構造を最適化してクラック発生を最小化させ得る多層パッドを具備した半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1層間絶縁膜122が具備された半導体基板120上にパッド窓領域140の一面側外郭部に沿って長く延長された第1導電性パッド124が形成される。第1層間絶縁膜上に第1導電性パッド表面が露出されるように第1ビアホール126が具備された第2層間絶縁膜128が形成され、第1ビアホール内に第1導電性プラグ127が形成される。第2層間絶縁膜上に第1導電性プラグと連結される第2導電性パッド130が形成される。第2導電性パッド表面が露出されるように第2ビアホール132が具備された第3層間絶縁膜134が形成され、第2ビアホール内に第2導電性プラグ133が形成される。第3層間絶縁膜上に第2導電性プラグと連結されるように第3導電性パッド136が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1層間絶縁膜と、この第1層間絶縁膜上の所定部分に形成され、パッド窓領域の一面側外郭部に沿って長く延長された形状の第1導電性パッドと、この第1導電性パッドを包含した前記第1層間絶縁膜上に形成され、前記第1導電性パッド表面の所定部分が露出されるように第1ビアホールが具備された第2層間絶縁膜と、前記第1ビアホール内に形成された第1導電性プラグと、この第1導電性プラグと連結されるように前記第2層間絶縁膜上の所定部分に形成され、パッド窓領域の一面側外郭部に沿って長く延長された形状の第2導電性パッドと、この第2導電性パッドを包含した前記第2層間絶縁膜上に形成され、前記第2導電性パッド表面の所定部分が露出されるように第2ビアホールが具備された第3層間絶縁膜と、前記第2ビアホール内に形成された第2導電性プラグと、この第2導電性プラグと連結されるように前記第3層間絶縁膜上の所定部分に形成された第3導電性パッドと、を備えたことを特徴とする多層パッドを具備した半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60
FI (5件)：
H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/12 N ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 604 R
引用特許：
審査官引用 (15件)
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