熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159533
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008203
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】被処理体例えば半導体ウエハを酸化処理、拡散処理その他の熱処理を行うにあたって、不純物汚染を軽減すること【構成】下方側からウエハをローディングする反応管及びその周囲に設けられた加熱部を備えた縦型熱処理装置、あるいは反応管の中に1枚のウエハを保持具に載せてローディングし熱処理を行う枚葉式の熱処理装置において、反応管を例えば二層の積層構造とし、熱処理雰囲気に接する内表面部である第1層部を、四塩化ケイ素などのケイ素化分物を原料とする合成石英ガラスにより構成し、第1層部の外側の第2層部を水晶を原料とする溶融石英ガラスにより構成する。合成石英ガラスは金属の含有量が極めて微量であるから、高温時においても熱処理雰囲気への金属の飛散量は実質零であり、しかも合成石英ガラスと溶融石英ガラスとを積層しているので耐熱性も大きい。

請求項（抜粋）：

被処理体を反応容器内に搬入して熱処理する装置において、前記反応容器は、熱処理雰囲気に接し、内表面部を形成する合成石英ガラスよりなる第1層部と、この第1層部の外側に積層され、溶融石英ガラスよりなる第2層部とを含むものであることを特徴とする熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 , C03C 27/06 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-268129
特開平3-003323
特開平3-084922

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