特許
J-GLOBAL ID：200903028711234125
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162881
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012750
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】メモリセルの大規模化、高密度化および高性能化を達成できる不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の多結晶シリコン膜に対して拡散層配線と素子分離用溝を自己整合的に形成し、化学的機械研磨法により酸化シリコン膜を溝内に埋め込むことにより、第1の多結晶シリコン膜に対して拡散層配線および素子分離用溝を自己整合的に形成し、表面が平坦な酸化シリコン膜によって溝内を埋め込む。【効果】充分な厚さを持つ酸化シリコン膜を溝内に埋め込んで、良好なソース・ドレイン拡散層間絶縁分離を行なうことができ、また、素子分離領域および拡散層の幅幅を一定に保つことができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する半導体基板の表面上に形成されたゲ-ト酸化膜の上に、第1の多結晶シリコン膜、第1の酸化シリコン膜および第1の窒化シリコン膜を少なくとも含む積層膜を、列ライン方向にストライプ状に加工する工程と、当該積層膜の側壁部上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の窒化シリコン膜と上記第1の絶縁膜が形成されていない部分の上記半導体基板に溝を形成する工程と、当該溝内に第2の絶縁膜を充填して素子分離領域を形成する工程と、上記第1の窒化膜を除去した後、上記列ライン方向とは垂直な行ライン方向にストライプ状の第2の多結晶シリコン膜を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/304 321
, H01L 21/76
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/304 321 S
, H01L 21/76 M
, H01L 27/10 434
