特許

J-GLOBAL ID：200903028716997011

磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置

発明者： 中谷 亮一 ,  濱川 佳弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137632
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329424
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【構成】磁気記録媒体からの磁界を磁路12を用いて多層膜11に印加する。さらに磁路12の幅を多層膜11の長手方向の長さより狭くすることにより、磁壁の多く発生する多層膜11の端部の磁壁の移動を抑え、また、一対の電極14の幅を多層膜11の長手方向の長さより狭くすることにより、磁壁の生じにくい多層膜11の中央部の電気抵抗率の変化を検出する。【効果】多層膜を用いた磁気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズが抑制される。また、磁気抵抗効果素子が直接磁気記録媒体に接触しないので加熱によるノイズを発生しない。また、磁気ヘッドを磁気記録再生装置に用いるため、高性能磁気記録再生装置が得られた。

請求項（抜粋）：

磁性層と非磁性層とが交互に積層されている多層膜、および上記多層膜に磁界を印加する磁路、および一対の電極からなる磁気抵抗効果素子において、上記多層膜の長手方向が磁路に流れる磁束の方向と直角をなし、上記一対の電極から上記多層膜に流れるセンス電流の方向が磁路に流れる磁束の方向と平行であり、上記磁路の幅が上記多層膜の長手方向の長さより狭く、上記一対の電極の幅が上記多層膜の長手方向の長さより狭いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/02 ,  G11B 5/127

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/02 U ,  G11B 5/127 G