特許
J-GLOBAL ID:200903028723513704

アクティブマトリクス基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-238697
公開番号(公開出願番号):特開2001-083550
出願日: 1992年10月21日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 ソース・ドレイン領域に注入された不純物を金属製のゲート電極に対して自己整合的にレーザ照射で活性化する薄膜トランジスタの製造方法。【解決手段】 オフ電流が極めて小さな薄膜トランジスタを大面積のガラス基板上に製作でき、高精細、高コントラスト、高開口率、無欠陥のアクティブマトリクス型液晶表示体を製造することができる。
請求項(抜粋):
2枚の透明基板に液晶を挟持し、少なくとも一方の基板上に非線形素子が形成された液晶表示装置のアクティブマトリクス基板において、透明導電膜によって形成された絵素電極が上記非線形素子を動作させるための配線上まで覆っており、上記配線が、絵素部分以外の部分における光漏れを防止する遮光膜をかねており、上記の配線が基板の溝に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (5件):
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1333 500 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338
FI (5件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 500 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338

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