特許
J-GLOBAL ID：200903028729344955
半導体単結晶製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030172
公開番号（公開出願番号）：特開2000-226293
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体単結晶精製時のアモルファスが精製室1の観察窓18の内面に析出蓄積するのを抑制して窓の透明度低下の進行を遅らせる。【解決手段】 多結晶素材6の一部を高周波誘導加熱コイル7の加熱によって溶融し、浮遊溶融帯域9を鉛直方向に移動して単結晶8を精製する精製室1内の観察窓18の領域に不活性ガス吹き付けポート29を設ける。不活性ガス吹き付けポート29のガス導入管29bには加熱コイル30を設ける。不活性ガス吹き付けポート29を通して導入される不活性ガスを加熱コイル30で加熱してノズル部29aから観察窓18の領域に吹き出す。観察窓18側に浮遊してくる精製室1内のアモルファスを加熱不活性ガスで吹き飛ばして窓内面に付着析出するのを抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶の精製室壁面に室内を観察する観察窓が前記精製室壁面に対して気密に装着され、前記精製室内には前記観察窓の領域に不活性ガスを吹き付ける不活性ガス噴出手段が設けられていることを特徴とする半導体単結晶製造装置。
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077EA06
, 4G077EG27
, 4G077FE17
, 4G077FJ01
, 4G077HA12
, 4G077NA01
