特許

J-GLOBAL ID：200903028735080129

モノリシックマイクロ波集積回路

発明者： 石井 基範 ,  田中 毅
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146191
公開番号（公開出願番号）：特開2004-350117
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】動作中にインダクタンスを変える機構を有するインダクタが形成されているモノリシックマイクロ波集積回路を提供する。【解決手段】半導体基板に形成されたモノリシックマイクロ波集積回路であって、渦巻き状に巻かれた渦巻き配線と、渦巻き配線の内側の端部から渦巻き配線の最外周経路の外側に延設された第1の渡り配線と、渦巻き配線の周回経路の途中部から渦巻き配線の最外周経路の外側に延設された第2の渡り配線とからなるインダクタが形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたモノリシックマイクロ波集積回路であって、 渦巻き状に巻かれた渦巻き配線と、渦巻き配線の内側の端部から渦巻き配線の最外周経路の外側に延設された第1の渡り配線と、渦巻き配線の周回経路の途中部から渦巻き配線の最外周経路の外側に延設された第2の渡り配線とからなるインダクタが形成されていることを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。

IPC (4件)：

H03F3/60 ,  H01F21/12 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (3件)：

H03F3/60 ,  H01F21/12 ,  H01L27/04 L

Fターム (30件)：

5E070NN01 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038CA06 ,  5F038CA10 ,  5F038CD05 ,  5F038CD16 ,  5F038DF01 ,  5F038DF02 ,  5F038DF11 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5J067AA01 ,  5J067AA04 ,  5J067CA87 ,  5J067CA92 ,  5J067FA16 ,  5J067HA02 ,  5J067HA29 ,  5J067HA33 ,  5J067HA38 ,  5J067KA29 ,  5J067KS11 ,  5J067LS01 ,  5J067QA04 ,  5J067QS04 ,  5J067SA13 ,  5J067TA01 ,  5J067TA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高周波増幅回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-112130   出願人：三菱電機株式会社