特許
J-GLOBAL ID：200903028736216431
露光方法及び半導体装置のパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224954
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070063
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 簡単な方法で、近接効果によるパターンサイズの細りを防止することができる露光方法及び半導体装置のパターンの製造方法を提供する。【解決手段】 部分一括方式電子ビーム露光方法において、電子ビームをステンシルマスク13上に形成したマスクパターン14に照射することによって発生する投影パターンを半導体基板15に繰り返し露光する際に、それぞれの露光毎に露光量を増減する。
請求項（抜粋）：
部分一括方式電子ビーム露光方法において、電子ビームをステンシルマスク上に形成したマスクパターンに照射することによって発生する投影パターンを半導体基板に繰り返し露光する際に、それぞれの露光毎に露光量を増減することを特徴とする露光方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 541 M
, H01L 21/30 541 S
