特許
J-GLOBAL ID：200903028739087055
パワー半導体モジュールの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286422
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110957
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】製造工程が簡単で短く、電極からの配線の電気抵抗が低く、且つ放熱のための熱抵抗が小さいパワー半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップの電極への配線にリードフレームを採用し、電極上にはんだ接合のための金属膜を形成し、リードフレームの表面にはんだ接合のためのメッキ層を形成する。半導体チップと放熱板、及び半導体チップの電極とリードフレームの一端とを高温はんだで接合した後、配線基板上に低温はんだで放熱板の裏面とリードフレームの他端とを接合する。また、放熱板を兼ねた電極を備えた配線基板を用いると、1回のはんだ接合で済ますことができる。この場合には、はんだとして熱抵抗の小さいSn系のはんだを採用することができる。
請求項（抜粋）：
パワー半導体チップが配線基板上に放熱板を介してはんだ接合され、且つパワー半導体チップのはんだ接合面の反対面に形成された電極と配線基板とが配線接続されているパワー半導体モジュールの製造方法において、前記配線接続のための接続部材がリードフレームであり、製造工程が、はんだ接合のためのメッキ層をリードフレームに形成する工程と、はんだ接合のための金属膜を前記電極面上に形成する工程と、還元雰囲気炉で、パワー半導体チップと放熱板とを、融点が270 °C以上の高温はんだではんだ接合し、且つリードフレームと電極面とを前記高温はんだではんだ接合する工程とを備えていることを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/48 G
, H01L 23/36 D
5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BC06
, 5F036BC33
, 5F036BD01
, 5F036BD11
