低エネルギー電子ビームのリソグラフィ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-185389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135423
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】サブミクロの大きさの最小の特徴をパターンとして描くための十分なスループットおよび精度をもつ,低エネルギー電子ビームの近接投射リソグラフィ用のシステムを提供する。【解決手段】低エネルギー電子ビームのリソグラフィ・システムが,約3ミクロンアンペアの2KeVの電子ビーム,約0.5ミクロンに薄化した膜をもつ単結晶性シリコンウェハから形成され,厚さが約0.1ミクロンの,電子ビーム感応性レジストで被覆された基板から約50ミクロンだけ離されるマスクを使用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のレジストにパターンを描くするシステムであって,電子ビームのソースと,電子ビームの径路に配置されるマスクと,電子ビームおよびマスクの径路にある,電子ビーム感応性レジストで被覆された基板と,を含み,レジストは極めて薄く,ビームを加速する電圧は,近接効果が重大とならない程度に十分に低く,ビームのパワーは,マスク,電子ビーム感応性レジストおよび基板の加熱がまた重大とならない程度に十分に低く,ビームの電子密度は,空間電荷効果が重大とならない程度に十分に低く,電子ビーム加速電圧は約2KeVであり,マスクは,レジストで被覆された基板から約50ミクロンの所に位置し,レジストの厚さは約0.1ミクロンであり,電子ビーム電流は約3マイクロアンペアであり,ビームの直径は約1.0ミリメートルであり,マスクは,いかなる吸収層を必要としない単結晶性シリコンのステンシルマスクであり,かつ約0.5ミクロンの厚さをもつことを特徴とするシステム。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , H01J 37/147 , H01J 37/305

FI (5件)：

H01L 21/30 541 S , G03F 7/20 504 , H01J 37/147 C , H01J 37/305 B , H01L 21/30 541 E

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