特許

J-GLOBAL ID：200903028748007110

半導体装置及びその製造方法

発明者： 坂井 裕一 ,  千葉原 宏幸 ,  岩崎 正修 ,  須田 核太郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022189
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219922
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハのデバイスパターンの上に形成された層間絶縁膜の厚さを正確に測定する。【解決手段】 半導体ウェーハのスクライブラインで区分されるチップ領域の中に、半導体デバイス形成用のデバイスパターンを形成すると同時に、このチップ領域の中にデバイスパターンと同時に同一材料でモニタパターンを形成する。この上を層間絶縁膜で覆った後、研磨して平坦化する。この平坦化された層間絶縁膜の厚さをモニタパターン上で測定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハにおいて、スクライブライン領域で区分されるチップ領域の中に、半導体デバイス形成用のデバイスパターンと、このデバイスパターンと同時に同一材料で形成されたモニタパターンと、上記デバイスパターン及び上記モニタパターンを被覆する層間絶縁膜とを備え、上記モニタパターンにより上記層間絶縁膜の厚さを測定することができるようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 622 X