特許
J-GLOBAL ID：200903028748701181
液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311391
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、従来のLSI製造技術によって製造することで低コスト化を図るとともに、電界効果電子移動度に優れた高性能の単結晶シリコン基板の透過型LCD装置を得る。【構成】 単結晶シリコン(Si)基板11上の画素開口部形成領域に多結晶部のエピタキシャル層(多結晶エピ層)13P を形成し、他領域に単結晶部のエピタキシャル層(単結晶エピ層)13C とを形成する。次いで単結晶エピ層13C にスイッチングトランジスタ14を設け、多結晶エピ層13P を除去する。その除去した部分に透光性の樹脂の埋込層17を形成する。そして単結晶Si基板11の裏面側から研削,研磨を行い、必要に応じてエッチングを行って埋込層17の裏面側を露出させ、単結晶部エピ層13C の単結晶Si架台21を形成する。その後透明接着剤22で裏面側を色フィルター基板24または下側ガラス基板25に貼り合わせる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板上の画素開口部を形成しようとする領域に多結晶部のエピタキシャル層を形成し、該単結晶シリコン基板上のその他の領域に単結晶部のエピタキシャル層を形成する第1工程と、前記単結晶部のエピタキシャル層にスイッチングトランジスタ部および駆動用周辺回路部を形成するとともに、エッチングによって前記多結晶部のエピタキシャル層を除去する第2工程と、前記多結晶部のエピタキシャル層を除去した部分に透光性の樹脂からなる埋込層を形成した後、該埋込層上に画素電極部を形成する第3工程と、画素電極部を形成した単結晶シリコン基板の表面に高平坦度の台ガラスを貼り合わせて接着保持する第4工程と、前記単結晶シリコン基板の裏面側から研削および研磨を行い、さらに必要に応じてエッチングを行って、前記埋込層の裏面を露出させるとともに、単結晶部のエピタキシャル層からなる単結晶シリコン架台を形成する第5工程と、透明接着剤によって前記単結晶シリコン架台の裏面側を色フィルター基板または下側ガラス基板に貼り合わせる第6工程とからなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
