特許
J-GLOBAL ID：200903028749362844
単一電子制御磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107337
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 微細化・高集積化でより高性能となる素子構造・動作モードを有する磁性単一電子制御磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 第1の方向の磁化を有する2つの第1の強磁性体と、前記2つの第1の強磁性体にトンネル接合を介して挟持され、ある初期方向の第2の方向の磁化を有する第2の強磁性体と、前記第2の強磁性体の磁化の方向を、前記第2の方向とは別方向に向ける磁化手段とを具備することを特徴とする単一電子制御磁気抵抗素子である。
請求項（抜粋）：
第1の方向の磁化を有する2つの第1の強磁性体と、前記2つの第1の強磁性体にトンネル接合を介して挟持され、ある初期方向の第2の方向の磁化を有する第2の強磁性体と、前記第2の強磁性体の磁化の方向を、前記第2の方向とは別方向に向ける磁化手段とを具備することを特徴とする単一電子制御磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
