特許
J-GLOBAL ID:200903028749596977

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-288074
公開番号(公開出願番号):特開平7-176563
出願日: 1992年10月27日
公開日(公表日): 1995年07月14日
要約:
【要約】【目的】 フリップチップを搭載する半導体装置に関し,低サイクル熱疲労耐性に優れた半導体装置の提供を目的とする。【構成】 基板1の表面に該基板1と熱膨張率が異なるフリップチップ2をバンプ3を用いて搭載した半導体装置において,該基板1の裏面に該基板1と熱膨張率が異なる補償板4が密着して設けられ,該チップ2の熱膨張率をβ<SB>ch</SB>,該基板1の熱膨張率をβ<SB>sub </SB>及び該補償板4の熱膨張率をβ<SB>cm</SB>とするとき,β<SB>ch</SB>>β<SB>su</SB><SB>b </SB>>β<SB>cm</SB>又はβ<SB>ch</SB><β<SB>sub </SB><β<SB>cm</SB>であることを特徴として構成する。
請求項(抜粋):
基板(1)の表面に該基板(1)と熱膨張率が異なるフリップチップ(2)をバンプ(3)を用いて搭載した半導体装置において,該基板(1)の裏面に該基板(1)と熱膨張率が異なる補償板(4)が密着して設けられ,該チップ(2)の熱膨張率をβ<SB>ch</SB>,該基板(1)の熱膨張率をβ<SB>sub </SB>及び該補償板(4)の熱膨張率をβ<SB>cm</SB>とするとき,β<SB>ch</SB>>β<SB>sub </SB>>β<SB>cm</SB>又はβ<SB>ch</SB><β<SB>sub</SB><β<SB>cm</SB>であることを特徴とする半導体装置。

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