特許

J-GLOBAL ID：200903028755729270

正特性サーミスタ素子の製造方法

発明者： 井上 英浩 ,  芦田 章治
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068436
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275205
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 電極層に発生した空隙を大幅に減らすことにより、抵抗変化率の低下とともに、耐湿性及び信頼性の向上を図ることができる正特性サーミスタ素子の製造方法を提供する。【構成】 サーミスタ素体1の主表面上に焼き付け形成された電極層3に対して封孔処理を施す工程を含んでいることを特徴とする製造方法である。なお、この際における封孔処理としては、バレル処理やバフ研磨、加圧処理などが採用される。

請求項（抜粋）：

サーミスタ素体(1)の主表面上に焼き付け形成された電極層(3)に対して封孔処理を施す工程を含むことを特徴とする正特性サーミスタ素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  H01C 17/28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-153962
  
• 特開昭54-152145
  
• 特開昭63-308301