磁性積層体および磁気抵抗効果素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石井陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101789
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275232
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【構成】 CoおよびFeを含む磁性薄膜と、Ag薄膜とを交互に積層する。磁性薄膜およびAg薄膜は、好ましくは分子線エピタキシー法で成膜し、その厚さは、好ましくは、それぞれ2〜60A および2〜60A とする。積層体は、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比0.5以下であり、反強磁性を示す。【効果】従来の反強磁性型の積層体と比較して、数kOe 程度と低い磁場でも巨大磁気抵抗変化率を示し、0.01〜20kOe の範囲で1〜40%の任意の磁気抵抗変化率を得ることができる。また、Co単独の磁性薄膜を用いるときと比較して、さらに磁気抵抗変化巾を大きくすることができる他、温度安定性が高い。

請求項（抜粋）：