特許
J-GLOBAL ID：200903028761396274
荷電粒子線を用いた描画方法及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121117
公開番号（公開出願番号）：特開平8-314121
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 電子ビーム描画、特に一括図形描画での高精度なパターン形成を実現する。【構成】 ウエハ上に描画したい図形の最小寸法に対応するマスク上の寸法より小さい寸法の厚さを持つマスクを用い、更にマスク上の開口形状がウエハ上に描画されるパターン形状に対応するマスク上の形状と異なり、マスクにより散乱された電子がウエハ上に到達しないように制限絞りを設ける。【効果】 高精度なパターン形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に描画したい図形に対応するマスク上の開口の角を補正した開口を有することを特徴とする荷電粒子線用マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 B
