特許

J-GLOBAL ID：200903028767448330

スプリット・ゲート酸化物を備えた高集積度CMOS回路及びその作成法

発明者： ロバート シー.バウマン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186994
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070197
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 スプリット・ゲート酸化物を備えた高集積度CMOS回路を提供する。【解決手段】 CMOSデバイスを作成する方法は、第1導電形のPMOS領域60を作成する段階と、PMOS領域60に隣接して第2導電形のNMOS領域62を作成する段階と、PMOS領域60とNMOS領域62との上にNMOS領域の上よりもPMOS領域の上で小さな厚さを有する絶縁体層64および66を作成する段階と、絶縁体層の上に共通ゲート48を作成する段階と、PMOS領域60の中でかつ共通ゲート48に整合して第2導電形のPMOSソース/ドレイン領域40および42を作成する段階と、NMOS領域62の中でかつ共通ゲート48に整合して第1導電形のNMOSソース/ドレイン領域44および46を作成する段階と、を有する。

請求項（抜粋）：

PMOS領域を作成する段階と、NMOS領域を作成する段階と、前記PMOS領域の表面を窒素で処理する段階と、前記NMOS領域の上に第1酸化物領域を作成する段階と、前記PMOS領域の上に前記第1酸化物領域よりも薄い第2酸化物領域を作成する段階と、前記NMOS領域の上に配置された前記第1酸化物領域の上にNMOSゲートを作成する段階と、前記NMOS領域の上に配置された前記第2酸化物領域の上にPMOSゲートを作成する段階と、を有するCMOSデバイスを作成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G