位相シフトフォトマスクの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：韮澤弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034587
公開番号（公開出願番号）：特開平5-232678
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】位相シフトパターンドライエッチング時のエッチング残渣の発生を防止した位相シフトフォトマスクの製造方法。【構成】図(h)のような位相シフター26下置きタイプの位相シフトフォトマスクを製造する際、位相シフターパターン26をドライエッチングによって形成する前に、位相シフターパターン用透明層26の表面に付着したクロム等のエッチング障害物を緩衝フッ酸による表面エッチング、不活性ガスを用いたプラズマによる表面エッチング等により取り除き(図(k))、ドライエッチング時でのエッチング残渣の発生を防ぎ、マスク面内での透過率を一定にし、ウェーハ上に転写されたパターンの劣化を防止する。

請求項（抜粋）：

所定領域間に位相差を与える位相シフターパターンをドライエッチングによって形成する位相シフトフォトマスクの製造方法において、少なくとも、ドライエッチング前に位相シフターパターン用透明層の表面に付着したエッチング障害物を表面処理により取り除く工程と、その後にドライエッチングにより該透明層を所定パターンにエッチングする工程とを有することを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 301 W , H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-078747
特開平3-078747
特開昭60-029747

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