特許
J-GLOBAL ID：200903028777251950
ハイブリッド集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120797
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015215
出願日： 1993年04月24日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】表面に高周波回路(例えば 900MHz帯の高周波増幅器)を搭載し裏面に接地導体厚膜を被着した誘電体回路基板と、能動素子と、受動素子と、高周波信号端子と、直流バイアス電源供給端子と、これらを接続するストリップラインとを有する高周波ハイブリッド集積回路において、ストリップラインが接近している箇所では、相互の高周波信号の干渉が起こり、寄生発振等、回路動作が不安定となる。上記課題を解決すると共に、ストリップライン間の距離を狭くして装置の小型化を図る。【構成】上記ハイブリッドICにおいて、隣り合うストリップラインの間の基板領域に、スルーホールにより基板裏面の接地導体厚膜に接続される静電遮蔽用島状配線ラインまたは該ライン上に立設される板塀状静電遮蔽用導電部材等を設ける。接地電位の島状配線ライン等により、課題を解決する。
請求項（抜粋）：
表面に高周波回路を搭載し裏面に接地導体厚膜を被着した誘電体回路基板と、能動素子と、受動素子と、高周波信号端子と、直流バイアス電源供給端子と、これらを接続するストリップラインとを有する高周波ハイブリッド集積回路において、隣り合うストリップラインの間の基板領域に形成され、かつスルーホールにより接地される静電遮蔽用の島状配線ラインを具備することを特徴とするハイブリッド集積回路。
IPC (4件)：
H01P 3/08
, H03F 3/60
, H05K 1/02
, H05K 9/00
