特許

J-GLOBAL ID：200903028778666356

レジスト形状の形成方法

発明者： 米谷 登 ,  菊池 広文 ,  小川 浩二 ,  青柳 和則
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 特許業務法人オカダ・フシミ・ヒラノ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-046385
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227593
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】急峻な側壁傾斜角度を有するレジスト形状の形成方法を提供する。【解決手段】端面が90°の角度を有するマスクパターンを形成しようとするとき、(c)に示すような2値化マスクを使用し、ポジ型レジストをオーバ露光する。その他の露光方法は従来のものと変わらない。オーバ露光により、残存するレジストの幅が細るので、そのレジストの後退幅だけ、マスクの光不透過領域の大きさを大きくしておく。オーバ露光してレジストを現像すると、(d)、(e)に示すような形状のレジストが得られる。側壁の角度は少なくとも55°であり、90°に極近い値が得られる場合もある。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

フォトレジスト工程により、厚さ10μm以上の厚膜レジストにパターンを形成する場合のレジスト形状の形成方法であって、2値化マスクを使用して、適性露光量よりも多い露光量でオーバ露光を行う工程を有することを特徴とするレジスト形状の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (3件)：

H01L21/30 514C ,  H01L21/30 502P ,  G03F1/08 L

Fターム (3件)：

2H095BC09 ,  5F046AA25 ,  5F046DA02