特許

J-GLOBAL ID：200903028783266064

P型領域上の接触

発明者： シリル フュリオ
出願人/特許権者： エスジェエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162806
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335633
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 一方向構成部品のアノードとして使用するための軽くドーピングしたP型層上で、直接オーミック接触をとる接触構造を提供すること。【解決手段】 本発明は、半導体構成部品の軽くドーピングしたP型領域上の接触構造に関し、このP型領域は、前記構成部品のオン状態動作中に正にバイアスされ、白金シリサイド、またはP型シリコンとともに白金シリサイド以下のバリヤ高さを有する金属シリサイドの層をP領域上に含む。

請求項（抜粋）：

半導体構成部品の軽くドーピングしたP型領域上の接触構造であり、このP型領域が、前記構成部品のオン状態動作中に正にバイアスされ、白金シリサイド、またはP型シリコンとともに白金シリサイド以下のバリヤ高さを有する金属シリサイドの層(23)を前記P領域(20)上に含む接触構造。

IPC (5件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/46 S ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 J ,  H01L 29/91 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-169169
  
• 特開昭60-214563
  
• 特開昭60-169169
  
• 特開昭60-214563