特許

J-GLOBAL ID：200903028785635253

半導体力学量センサとその製造方法

発明者： 藤田 真紀子 ,  竹内 幸裕 ,  奈良 健一 ,  木村 裕治
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162642
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018020
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】過大な力学量が作用した場合にもMISFET型トランジスタ特性の劣化を回避する。【構成】シリコン基板1の上方に所定の間隔を隔てて梁構造の可動部7が配置され、その一部に可動ゲート電極部を有している。可動部7は加速度の作用に伴って変位する。シリコン基板1に不純物拡散層による固定電極(ソース・ドレイン部)が形成され、加速度の作用による可動ゲート電極部との相対的位置の変化により、流れる電流が変化する。梁構造の可動範囲制限用バネ部19はシリコン基板1側から可動部7に接近するように突出し、シリコン基板1と可動ゲート電極部との間の間隔よりも狭い間隔を形成し、可動部7に過大な力が加わり可動部7が接触し変形した際にその変形の復元力により可動部7の変位を規制する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置され、その一部に可動ゲート電極部を有し、力学量の作用に伴って変位する梁構造の可動部と、前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成され、前記力学量の作用による前記可動ゲート電極部との相対的位置の変化により、流れる電流が変化するソース・ドレイン部と、前記半導体基板側から前記可動部に接近するように突出し、前記半導体基板と前記可動ゲート電極部との間の間隔よりも狭い間隔を形成し、前記可動部に過大な力が加わり前記可動部が接触し変形した際にその変形の復元力により前記可動部の変位を規制する梁構造の可動範囲制限部とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

FI (2件)：

H01L 29/84 C ,  G01L 9/04 101