特許

J-GLOBAL ID：200903028786068360

セルプレート電圧初期セットアップ回路

発明者： タエ フーン キム
出願人/特許権者： ゴールド スター エレクトロン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268759
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215563
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】セルプレートの全キャパシタンスが増加しても、高速な立ち上げが可能でしかも、待機時の電力損失を大幅に減らすことができるセルプレート電圧初期セットアップ回路を提供する。【構成】セルプレートノードVcpに出力端子が接続された駆動能力の大きい第1電圧発生器2と、該第1電圧発生器2より駆動能力の小さい第2電圧発生器3と、上記第1電圧発生器2と電源Vcc間に第1スイッチング素子MP2を接続する構成と、上記第2電圧発生器3の出力側とVcpノード間に第2スイッチング素子MP3とMN3を接続する構成と、上記Vcpノードとクロック信号CLK1に入力が接続されその出力が上記第1および第2スイッチング素子の制御端子に接続された制御信号発生器4を備え、かつ、該制御信号発生器4は、上記セルプレートの初期充電時は上記第1電圧発生器2がVcpノードに接続されて充電を行い、所定レベルまで充電した後の待機状態では、上記第1電圧発生器2を切離し上記第2電圧発生器3によりVcpノードに電圧を与える手段を備えることとする。

請求項（抜粋）：

半導体メモリセルキャパシタのプレート電極を初期に所定の電圧に充電させるためのセルプレート電圧初期セットアップ回路において、セルプレートノードVcpに出力端子が接続された駆動能力の大きい第1電圧発生器と、該第1電圧発生器より駆動能力の小さい第2電圧発生器と、上記第1電圧発生器と電源Vcc間に第1スイッチング素子を接続する構成と、上記第2電圧発生器の出力側とVcpノード間に第2スイッチング素子を接続する構成と、上記Vcpノードとクロック信号CLK1に入力が接続されその出力が上記第1および第2スイッチング素子の制御端子に接続された制御信号発生器を備え、かつ、該制御信号発生器は、上記セルプレートの初期充電時は上記第1電圧発生器がVcpノードに接続されて充電を行い、所定レベルまで充電した後の待機状態では、上記第1電圧発生器を切離し上記第2電圧発生器によりVcpノードに電圧を与える手段を備えることを特徴とするセルプレート電圧初期セットアップ回路。