特許
J-GLOBAL ID：200903028790341551
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
片山 修平
, 横山 照夫
, 八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-071655
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231348
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】光半導体素子の冷却効率を向上させること。【解決手段】本発明は、光半導体素子14と、貫通孔52を有するステム50と、貫通孔の内面の一部に非接触部54を有するように貫通孔52に挿入された絶縁体36と絶縁体により支持され光半導体素子14に入力または出力する信号を伝送する配線34とを有する配線ブロック30と、ステム50に固定され光半導体素子10で発生した熱をステム50に放出するヒートシンク62と、を具備する光半導体装置である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光半導体素子と、
貫通孔を有するステムと、
前記貫通孔の内面の一部に非接触部を有するように前記貫通孔に挿入された絶縁体と前記絶縁体により支持され前記光半導体素子に入力または出力する信号を伝送する配線とを有する配線ブロックと、
前記ステムに固定され前記光半導体素子で発生した熱を前記ステムに放出するヒートシンクと、
を具備することを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F173MA02
, 5F173MB03
, 5F173MC12
, 5F173ME56
