特許
J-GLOBAL ID：200903028791518781
薄膜多層配線基板およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063146
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267402
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】スルホールの接続信頼性を大幅に向上させた、作動時の発熱が小さく、信号伝送速度の低下の少ない薄膜多層配線基板およびその製造方法を提供すること。【構成】スルホール部を有する薄膜多層配線基板において、前記スルホール部に充填され、該配線層の上下パッドに電気的に接続された抵抗値2.7〜1.6μΩ・cm以下の金属バンプを形成してなることを特徴とする薄膜多層配線基板およびその製造方法。【効果】本発明により、プロセスの大幅短縮が可能となり安価で、高信頼性を有する薄膜配線多層基板が実現できる。大型計算機用の薄膜多層高密度実装モジュール基板,大型プリント基板,多層TAB等へも展開できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一層以上の絶縁層と配線層からなり、該絶縁層と配線層にスルホール部を有する薄膜多層配線基板において、前記スルホール部に充填され、該配線層の上下パッドに電気的に接続された抵抗値3μΩ・cm以下の金属バンプを形成してなり、前記金属バンプのフランジ部の周縁が半径方向に伸びてうすくなって該上パッドに密着していることを特徴とする薄膜多層配線基板。
IPC (2件)：
H01L 21/60 321
, H01L 21/321
