特許

J-GLOBAL ID：200903028794389265

半導体装置及びそれを用いたアクティブマトリクス型表示装置

発明者： 神野 優志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192600
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008026
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 立体的にチャネル領域を遮光することで、開口率を高めつつ、薄膜トランジスタの耐光性を高める。【解決手段】 半導体膜の周辺に斜面を有する凹部の斜面の少なくとも一部を覆う遮光膜を設け、遮光膜が立体的にチャネルを被覆する形状にすることにより、半導体膜中のチャネル領域に直接入射する光だけでなく、遮光膜の外に入射し、反射・散乱によってチャネル領域に入射する光をも遮断することで、薄膜トランジスタの耐光性を高める。同時に、遮光膜が平面的に被覆する面積を小さくすることによって、開口率を高める。また、遮光膜とは別の反射防止用の膜を設ける必要がなくなるので、製造コストが削減される。

請求項（抜粋）：

ソース領域及びチャネル領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、前記半導体膜の前記チャネル領域とゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上若しくは下に形成される絶縁膜と、前記チャネル領域に対応する領域の上または下に形成され、前記チャネル領域に入射する光を遮断する遮光膜とを有する半導体装置において、前記絶縁膜には、前記薄膜トランジスタの周辺に対応する領域に側面を有する凹部が形成され、前記遮光膜は、前記凹部の側面の少なくとも一部を覆うことに起因した斜面を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368

FI (4件)：

G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 612 B

Fターム (47件)：

2H091FA34Y ,  2H091FD04 ,  2H091FD06 ,  2H091FD21 ,  2H091GA13 ,  2H091LA03 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JB51 ,  2H092KB25 ,  2H092NA16 ,  2H092NA22 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11