特許
J-GLOBAL ID：200903028798332675
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165205
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005580
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】ウェットエッチング工程終了時に基板12上のパーティクル17,18を無くす。【構成】ウェットエッチング工程において第1のエッチング層1で被エッチング層13の表層部分をエッチングとした後、第1の水洗槽2を通して、被エッチング層13上のパーティクルを除去し、第2のエッチング槽3でエッチングを完全に行う。【効果】エッチング後のウェーハ上のパーティクル数を従来技術に比較して数十分の1〜数百分の1に低減できる。
請求項（抜粋）：
ウェトエッチング工程を有する半導体装置の製造方法において、第1のエッチング槽で半導体装置の被エッチング層の上面を所定の第1の深さまでエッチングして除去する工程と、前記半導体装置を第1の洗浄槽で洗浄する工程と、最終エッチング槽で前記被エッチング層のエッチングを完全に行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 341
