特許

J-GLOBAL ID：200903028803500719

バイポーラトランジスタ及び半導体装置の製造方法

発明者： 三輪 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285046
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120431
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 エッチング時のダメージ、例えばBiCMOS製造時のLDDスペーサ形成時のエッチングが下地に及ぼすダメージを防止した半導体装置とその製法を提供する。【構成】 ?@半導体基板1上に形成された絶縁膜6と、絶縁膜6上に形成された伝導膜7bとによりベース領域を被覆したバイポーラトランジスタ。?A半導体基板1上に絶縁膜6を形成する工程と、伝導膜7を形成する工程と、少なくともベース形成領域を被覆された状態で絶縁膜6及び伝導膜7の積層構造を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された伝導膜とによりベース領域を被覆したことを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 321 A ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-237036
  
• 特開平2-260653
  
• 特開昭61-218161
  
• 特開平3-106032