特許
J-GLOBAL ID：200903028803945427
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335554
公開番号（公開出願番号）：特開平8-248445
出願日： 1991年05月11日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【課題】 少ないマスク数でTFTを作製する。【解決手段】 TFTの構造において、ゲイト電極の側面にはゲイト電極を構成する材料の陽極酸化膜が設けられ、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面に接しており、前記ソース、ドレインに接続された電極は前記ゲイト電極の上方に設けられた絶縁膜の上方にまでわたって延在している構造を持ち、その作製工程においては3枚のマスクで完成できる絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法。
請求項（抜粋）：
(a)絶縁表面を有する基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域及びこれらの領域にはさまれたチャネル領域を有する半導体層と、(b)前記チャネル領域上にゲイト絶縁膜を介して形成された金属又は金属珪化物からなるゲイト電極と、(c)前記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方に接続されたソース・ドレイン電極と、(d)前記ゲイト電極の少なくとも側面に形成された前記金属又は金属珪化物の酸化物で構成される酸化膜層とからなり、前記酸化膜層が前記ソース・ドレイン電極と前記ゲイト電極との間に配置されたことを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 500
, H01L 29/78 616 M
, H01L 29/78 617 W
