特許
J-GLOBAL ID：200903028806959798
チタン酸バリウム系正特性半導体磁器の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098068
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294625
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 常温比抵抗はより低く、抵抗温係数はより大きく、更にフラッシュ耐圧はより大きくするチタン酸バリウム系正特性半導体磁器の製造方法を提供する。【構成】 原料の一つ酸化チタン粉末の粒度を所定の範囲にすることにより良好な特性のチタン酸バリウム系正特性半導体磁器を得る製造方法。
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウム系正特性半導体磁器の製造方法において、原料混合粉末のうち酸化チタン粉末の平均粒径が累積重量分布表示で0.1〜0.6〜μm である粉末を用いることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
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