特許
J-GLOBAL ID：200903028807804453
受光発光集積素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295035
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196681
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 波長帯域が広い受光器と発振閾値が小さく、発光効率の大きいレーザを同一ウエハー上に形成する。しかもレーザの発熱の抑制のため、素子側をフリップチップボンディングできるように基板裏面から光を入出力できる受光発光集積素子を提供する。【構成】 基板18上に、ノンドープの第1の多層膜反射鏡1、第一導伝型の第1の層2、第一導伝型とは反対の導伝型の第二導伝型の第2の層3、活性層4を含むノンドープの第3の層19、第一導伝型の第4の層5、第二導伝型の第5の層6、第二導伝型の第2の多層膜反射鏡7が形成され、形成面に垂直方向にレーザ光を出力する発光素子が形成されている。更に、同一面上に前記第1及び第2のDBRと前記第1,2,3及び4の層を用いてヘテロフォトトランジスタ(HPT)が形成され、HPT部の第1の多層膜反射鏡16の一部に位相反転層17が挿入されている。
請求項（抜粋）：
基板上に、ノンドープの第1の多層膜反射鏡(以下DBRと略す)と、第一導伝型の第1の層と,第一導伝型とは反対の導伝型の第二導伝型の第2の層と、活性層を含むノンドープの第3の層と、第一導伝型の第4の層と、第二導伝型の第5の層と、第二導伝型の第2のDBRとが順に形成され、形成面に垂直方向にレーザ光を出力する発光素子と、前記基板面上に前記第1及び第2のDBRと前記第1,2,3および4の層とを用いたヘテロフォトトランジスタ(以下HPTと略す)とを有し、前記HPTの第1のDBRの一部に位相反転層を有することを特徴とする受光発光集積素子。
IPC (3件)：
H01L 27/15
, H01L 31/10
, H01S 3/18
