特許

J-GLOBAL ID：200903028807846318

ダイオードの製造方法および保護ダイオードを備えた電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 小林 純一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284428
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135491
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 ダイオードのpn接合における接合容量の増大を伴わずにその製造工程を簡素化する。【解決手段】 半絶縁性のGaAs基板11の主表面にn型不純物領域12a,12bを形成後、n型不純物領域12aおよび12bの間の領域にp型不純物領域13を形成し、ラテラル型のnpn型ダイオードを形成する。p型不純物領域13を形成した領域には元々n型不純物領域が存在せず、また、p型不純物領域13とn型不純物領域12a,12bとのオーバーラップ量はステッパの高精度化によって十分小さくできるので、p型不純物領域13の下側のn型不純物濃度は無視できる程度に小さい。このため、p型不純物領域13をn型不純物領域12a,12bよりも浅く形成したとしても、pn接合の深さ方向の接合容量を小さく保つことは十分可能であり、製造工程を簡素化できる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板の主表面に、相互に離間した2つの第1導電型不純物領域を形成する工程と、前記2つの第1導電型不純物領域によって挟まれた領域の主表面に第2導電型不純物領域を形成し、第1導電型不純物領域と第2導電型不純物領域の接合部を形成する工程とを含むことを特徴とするダイオードの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/866 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/90 S ,  H01L 27/08 102 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-003987
  
• 特開昭60-047470
  
• 特開平2-003987