特許

J-GLOBAL ID：200903028809494435

ポリイミド・パタ-ンの形成方法

発明者： 丹羽 勝弘 ,  江口 益市 ,  浅野 昌也
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198559
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【構成】ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミド・パタ-ンを形成する方法において、A.銅配線上に酸素プラズマ処理をする、B.銅配線上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、C.パタ-ン状の光を照射し、ついで現像する、D.得られたポリイミド前駆体のパタ-ンを加熱することにより、ポリイミド・パタ-ンに変換する、の各工程から成るポリイミド・パタ-ンの形成方法である。【効果】本発明の形成方法によれば、銅配線上にポリイミド・パタ-ンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミド・パタ-ンを確実に形成でき、銅配線上に形成されるスル-ホ-ルにおける電気的接続の導通不良の問題を解決し得る。

請求項（抜粋）：

ポリアミド酸型感光性ポリイミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミド・パタ-ンを形成する方法において、A.銅配線上に酸素プラズマ処理を施す、B.銅配線上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する、C.パタ-ン状の光を照射し、ついで現像する、D.得られたポリイミド前駆体のパタ-ンを加熱することにより、ポリイミド・パタ-ンに変換する、の各工程から成ることを特徴とするポリイミド・パタ-ンの形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/312 ,  C09D179/08 PLX ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/038 504 ,  H05K 3/28