特許
J-GLOBAL ID:200903028810508504

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-167683
公開番号(公開出願番号):特開2002-080566
出願日: 2001年06月04日
公開日(公表日): 2002年03月19日
要約:
【要約】【課題】 ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性、耐半田クラック性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)一般式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物を300〜900°Cで焼成して得られる、平均粒径が0.5〜15μm、粒径0.2μm以下が10重量%以下、粒径20μm以上が3重量%以下、比表面積50m2/g以下である一般式(2)で表される化合物、及び(F)赤燐又は赤燐系難燃剤を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 MgaAlb(OH)c(CO3)d (1) MgxAlyOz (2)(式中のa、b、c、d、x、y、zは0.1以上の正数)
請求項(抜粋):
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)一般式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物を300〜900°Cで焼成して得られる、平均粒径が0.5〜15μm、粒径0.2μm以下が10重量%以下、粒径20μm以上が3重量%以下、比表面積50m2/g以下である一般式(2)で表される化合物、及び(F)赤燐又は赤燐系難燃剤を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 MgaAlb(OH)c(CO3)d (1) MgxAlyOz (2)(式中のa、b、c、d、x、y、zは0.1以上の正数)
IPC (5件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R
Fターム (46件):
4J002CC03X ,  4J002CC04X ,  4J002CC05X ,  4J002CC07X ,  4J002CD03W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002DA059 ,  4J002DE288 ,  4J002DJ017 ,  4J002EU116 ,  4J002EW016 ,  4J002EW126 ,  4J002EY016 ,  4J002FB079 ,  4J002FB089 ,  4J002FB097 ,  4J002FD017 ,  4J002FD139 ,  4J002FD14X ,  4J002FD156 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AC01 ,  4J036AC02 ,  4J036AC03 ,  4J036AD01 ,  4J036AD08 ,  4J036AF01 ,  4J036AF06 ,  4J036AF15 ,  4J036CB22 ,  4J036DC40 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036DD09 ,  4J036FA04 ,  4J036FA05 ,  4J036FB07 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB07

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